Νέες τεχνολογίες των IBM και Intel υπόσχονται ακόμα ταχύτερα

[ilias]

Η Intel και Η IBM ανακοίνωσαν ανεξάρτητα ότι κατάφεραν να υπερβούν ένα σημαντικό εμπόδιο στην προσπάθειά τους να συνεχίσουν να μικραίνoυν τα τσιπ και να αυξάνουν τις επιδόσεις τους. Οι δύο εταιρείες παρουσίασαν νέα υλικά για την επόμενη γενιά επεξεργαστών.

Οι νέες τεχνολογίες αφορούν ένα στρώμα υλικού που ρυθμίζει την κυκλοφορία του ρεύματος ανάμεσα στα τρανζίστορ, τους μικροσκοπικούς διακόπτες από τους οποίους αποτελούνται τα ολοκληρωμένα κυκλώματα.

Όπως ανακοίνωσε η Intel την Παρασκευή, τα νέα υλικά μπορούν να περιορίσουν κατά 80% τη διαρροή ηλεκτρονίων και να αυξήσουν τις επιδόσεις κατά 20%.

«Στο επίπεδο των τρανζίστορ, δεν έχουμε τροποποιήσει τα βασικά υλικά από τη δεκαετία του 1960. Πρόκεται επομένως για σημαντικό επίτευγμα» σχολίασε στο Reuters ο Νταν Χάτσενσον, επικεφαλής της συμβουλευτικής εταιρείας VLSI Research.

Τόσο η Intel όσο και η IBM σκοπεύουν να αξιοποιήσουν τις ανακαλύψεις τους στην αμέσως επόμενη γενιά επεξεργαστών, οι οποίοι θα παράγονται με την κατασκευαστική τεχνολογία των 45 νανομέτρων -τόσο θα είναι το πάχος των μικρότερων εξαρτημάτων στα τσιπ.

Η Intel ανακοίνωσε ότι θα χρησιμοποιήσει τη νέα τεχνολογία της, που βασίζεται στο εξωτικό μέταλλο χάφνιο, σε επεξεργαστές που θα κυκλοφορήσουν στα τέλη του 2007.

Η IBM, από την πλευρά της, εκτιμά ότι η δική της μέθοδος θα χρησιμοποιηθεί για πρώτη φορά το 2008 σε τσιπ των συνεργατών της AMD και Toshiba.

Τα νέα μονωτικά υλικά θα χρησιμοποιούνται στις πύλες των τρανζίστορ, οι οποίες τα θέτουν στην κατάσταση on ή off, καθώς και στο οξείδιο της πύλης, ένα λεπτό στρώμα ανάμεσα στην πύλη και το υπόλοιπο τρανζίστορ.

Το πρόβλημα με την προηγούμενη τεχνολογία ήταν ότι το στρώμα μονωτικού υλικού, κατασκευασμένο από πυρίτιο, έχει πάχος μόλις πέντε ατομα, με αποτέλεσμα να διαρρέουν ηλεκτρόνια και να αυξάνεται η κατανάλωση ρεύματος.

Οι δύο εταιρείες εκτιμούν ότι η νέα μέθοδος κατασκευής τσιπ θα επιτρέψει στη βιομηχανία ημιαγωγών να συνεχίσει να ακολουθεί τον λεγόμενο Νόμο του Μουρ, σύμφωνα με τον οποίο η πυκνότητα των τρανσίστορ στα ολοκληρωμένα κυκλώματα διπλασιάζεται ανά δύο χρόνια, με αντίστοιχη αύξηση των επιδόσεων.